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产品与计划

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双P

产品筛选

Vds Min (V)

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150
200
500
600
650

清除所有条件

ID@TC=25℃

清除所有条件

RDS(on) Max 10V(mΩ)

清除所有条件

RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

清除所有条件

PD@TC=25℃ (W)

清除所有条件

Vgs(±V)

清除所有条件

Vth (V)

清除所有条件

Ciss Typ(pF)

清除所有条件

Qg Typ(nC)

清除所有条件

Configuration

清除所有条件

Package

清除所有条件

Application

清除所有条件

Part

Vds Min (V)

ID@TC=25℃

RDS(on) Max 10V(mΩ)

RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

PD@TC=25℃ (W)

Vgs(±V)

Vth (V)

Ciss Typ(pF)

Qg Typ(nC)

Configuration

Package

Application

同类型号

Status

HYG850PD02KA1C6

-20

-3.5

N/A

95

2

10

-0.4~-1

582

7.2

Dual - P

DFN6L(0202)

负载开关 / 信号驱动

NTLJD3115P

MP

HYG850PD02KA1C6

产品特性：

此器件为 P 沟道、-20V耐压、65mΩ内阻、DFN6L(0202) 双通道封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、信号...

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