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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

双N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG160ND06LS1C2

HYG160ND06LS1C2

此器件为60V、14.5mΩ、PDFN8L(5X6)双基岛封装产品,接纳SGT流片工艺,该器件应用在DC-DC电源,电机驱动等应用领域。

特性

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试

提升系统效率



优势

开关损耗低    

抗攻击能力强   

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

稳定的工艺能力



应用

DC_DC电源板,电机驱动   

HYG160ND06LS1C2

模型

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