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产品与计划

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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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SGT MOSFET

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HYG045N10NS1B

HYG045N10NS1B

此器件为 100V、3.8mΩ、TO-263-2L封装产品，接纳SGT流片工艺，可满足如直流电动机控制。锂电池�；ぐ宓扔τ昧煊�。

HYG045N10NS1B产品说明书

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

切合RoHS标准

100% DVDS测试

优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性

抗攻击能力强

应用

电动车控制器

锂电池�；ぐ�

HYG045N10NS1B

模型

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