此器件为 P 沟道、-30V耐压、21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足负载开关、电池� ；ぐ宓扔τ昧煊�。
特性
低内阻
切合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关 ，DC-DC ，电池� ；ぐ�
地点：西安经济技术开发区尚稷路8928号
邮箱：hy@hymexa.com; xa.sales@hymexa.com
电话：+86 29-86685706
语言