此器件为P 沟道、30V耐压、内阻4.1mΩ、TO-263-2L封装产品，芯片接纳Trench工艺设计，该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足如电池�；ぁ⒏涸乜亍⒌缁扔τ昧煊�。
特性
低内阻
优异的FOM值
切合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
易装置
应用
锂电池�；ぐ�
负载开关
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