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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单P

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划
HYG086P06LA1B

HYG086P06LA1B

此器件为 -60V、7.4mΩ、TO-263-2L封装产品，接纳Trench流片工艺，可满足如防反接，电池治理系统等应用领域 。

特性

切合RoHS标准

100%  DVDS测试

100% UIL测试


优势

高可靠性

稳定的工艺能力


应用

锂电池� ；ぐ�   

HYG086P06LA1B

模型

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