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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划
HYG045N03LA1D

HYG045N03LA1D

此器件为30V、3.8mΩ、TO-252-2L封装产品，接纳Trench流片工艺，可满足如锂电池�；ぐ宓扔τ昧煊�

特性

低内阻、切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试  


优势

稳定的工艺能力 


应用

   锂电�；ぐ寮苹�

HYG045N03LA1D

模型

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